[理学院]氧化物半导体光电性能调控与紫外探测器件

讲座题目：氧化物半导体光电性能调控与紫外探测器件

主 讲 人：潘书生 副研究员

讲座时间：2017年4月27日（星期四）14：00

讲座地点：钱伟长楼201会议室  

欢迎有兴趣的师生前来聆听！

                                                理学院 

2017年4月25日

讲座内容简介：

半导体材料与器件对于人类文明发展起着直观重要的推动作用。本次报告将介绍以SnO₂为代表的氧化物半导体光学和发光性能调控，p型导电薄膜以及紫外光探测器件等方面的研究进展。

主讲人简介：

潘书生博士于2007年在中国科学院获得博士学位，现为中国科学院合肥物质科学研究院副研究员，主要从事半导体光电功能材料与器件的研究。潘书生博士先后在香港和新加坡等地从事科研工作，担任新加坡CRP项目研究员。主持国家自然科学基金2项，省部级项目2项，科技部“纳米研究”重大科学研究计划项目子课题1项。2011年入选全国首批 “香江学者计划”。潘书生博士发表SCI论文50余篇，他引1500多次，H指数23；获得授权发明专利5项。他在国际上最早生长出p型导电氮掺杂氧化锡薄膜；首次实现氧化锡深紫外波段受激发射；发明了常温、一步、快速、直接、非酶检测过氧化氢的方法。研究成果多次被国际材料科学顶级综述杂志《Progress in Materials Science》大篇幅、正面、高度评价，并被收入p型透明氧化物半导体发明者和铁基超导体发现者Hideo Hosono教授所编著的《Handbook of Transparent Conductors》一书。